晶圓測厚儀 MX203-4-21是一款手動載片的晶圓幾何特性量測儀，適用于直徑分別為 50 mm、75 mm和 100 mm的硅片。該設備專為控制晶圓厚度與形狀而設計，同時可選配應力評估功能以滿足更全面的檢測需求。

晶圓測厚儀 MX203-4-21與所有其他 E+H 晶圓幾何量測儀器一樣，采用了 E+H 的非接觸式電容式距離傳感器技術。每片晶圓的純測量時間最長為 5 秒，在操作員進行手動裝載與卸載的情況下，完成一個完整的晶圓測量流程大約需要 20 秒。

The Wafer Geometry Station晶圓幾何特性測量工作站

晶圓幾何測量站由一個下探針頭和一個上探針頭構成。每個探針頭均以一塊平板為基礎，該平板中徑向排列嵌入了 21 個非接觸式電容距離傳感器。兩塊傳感器板呈水平安裝，并以面對面的方式精確對齊。通過用參考晶圓進行簡單的校準，即可獲得每對傳感器之間的距離。

Measurement Principle 測量原理

厚度Thickness和翹曲度Bow/Warp測量在一個周期內完成。在測量過程中，晶圓自由地放置在下探針頭內部安裝的支撐點上。對頂部傳感器至晶圓正面的距離，以及底部傳感器至晶圓背面的距離進行測量。

晶圓厚度由每對傳感器之間已知距離減去所測得的頂部與底部距離之和計算得出。此外，翹曲測量還額外利用了底部傳感器測得的距離數據。在整個測量過程中，晶圓始終保持靜止狀態(tài)，從而確保了測量結果的高度重復性和精確性。

Measurement type 測量類別

Thickness 晶圓厚度

Flatness (TTV) 平整度/總厚度變化

Bow 彎曲

Warp 翹曲

Stress 應力（選配）

Technical Data 技術參數

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